2026年4月2日，上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室（以下简称实验室）学术委员会成立暨第一次学术委员会会议在上海临港召开。西安电子科技大学郝跃院士、浙江大学杨德仁院士、南京大学祝世宁院士等学术委员会专家，以及上海市科学技术委员会、上海临港新片区管委会领导、上海天岳半导体材料有限公司（以下简称上海天岳）、中国科学院上海光学精密机械研究所（以下简称上海光机所）科研骨干代表参加会议。

上海市科学技术委员会副主任屈炜、上海临港新片区综合党委书记朱旭明、天岳先进董事长宗艳民及上海光机所陈卫标书记先后致辞，对实验室建设与学术委员会成立表示祝贺，希望实验室立足国家战略、服务产业需求，打造国际一流的半导体材料创新高地。

首届学术委员会由中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃，中国科学院院士、南京大学祝世宁，中国科学院院士、浙江大学杨德仁，中国工程院院士、中国建材集团有限公司彭寿，中国科学院院士、中国科学院半导体研究所祝宁华等15位产学研专家组成。屈炜副主任为到会的专家颁发了聘书。

学术委员会会议由杨德仁院士主持。

实验室执行主任隋晓明围绕建设背景、发展定位、研究方向及重点任务作了专题汇报。实验室聚焦宽禁带与超宽禁带半导体材料，面向新一代移动通信、新能源汽车、高压输变电、具身智能、量子科技及航天工程等重点领域，开展基础理论与关键技术研究，重点突破大尺寸、高质量单晶材料制备瓶颈，构建原创技术策源地、成果孵化高地、高层次人才培养基地，为提升我国新型半导体国际竞争力提供坚实支撑。

为了更好落实应用需求牵引材料创新发展，本次会议特邀行业专家西安电子科技大学张金风教授、上海积塔半导体有限公司总经理助理吴贤勇带来题为《金刚石半导体材料和器件研究进展》和《面向未来的碳化硅应用市场分析与产业策略》的主题分享。

与会委员与产业专家代表深入研讨、充分交流，就实验室研究方向凝练、关键技术攻关、产学研用协同、成果转化落地等提出一系列建设性意见与建议。专家们紧扣国家战略需求与产业发展前沿，以高水准学术见解、全局性战略眼光和前瞻性创新理念，提出了诸多极具价值的思路与举措，为实验室擘画发展蓝图、开启新征程注入了强劲智慧动能。

本次学术委员会成立会议的圆满召开，标志着上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室建设迈入规范化、制度化、高水平发展新阶段。未来，实验室将在学术委员会指导下，坚持四个面向，深耕基础研究、强化技术攻关、促进成果转化、汇聚顶尖人才，全力建设一流的宽禁带与超宽禁带半导体材料实验室，为完善我国下一代半导体前沿战略布局、实现科技自立自强贡献力量。

实验室简介：实验室由上海天岳联合上海光机所共同筹建，聚焦碳化硅、金刚石、氧化镓等宽禁带与超宽禁带半导体材料方向，面向上游关键材料环节，推动科技创新与产业创新深度融合，贯通“科技—产业”转化链条，促进基础研究与应用研究有机衔接，培育未来产业发展新动能，助力上海加快建设宽禁带与超宽禁带半导体创新高地，形成具有全球影响力的产业创新集群。