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产品信息

4H P型

SiC单晶衬底

4H P-type

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P型碳化硅衬底材料多用于同质外延，制备特高压功率半导体器件，
在以特高压输电为代表的智能电网及轨道交通、工业大功率电源领域广泛应用。

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基本信息

6英寸

直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
主参考边长度 47.5mm±1.5mm
副参考边长度平行于<1100>±1.0°
Notch边取向 /
Notch边深度 /
Notch边角度 /
厚度 350.0um士25.0um
导电类型 p-type

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基本信息

8英寸

直径 200.0mm+0mm/-0.2mm
表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
主参考边长度 Notch
副参考边长度 /
Notch边取向 <1100>±1°
Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm
Notch边角度 90°+5°/-1°
厚度 350.0um士25.0um
导电类型 p-type

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基本信息

12英寸

直径 300.0mm+0mm/-0.5mm
表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
主参考边长度 Notch
副参考边长度 /
Notch边取向 <1100>±5°
Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm
Notch边角度 90°+5°/-1°
厚度 750.0um士25.0um
导电类型 p-type

微波射频器件

通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成HEMT等微波射频器件，应用于信息通讯、无线电探测等领域。

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